2024年11月26日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司取得一項名為“一種氧化鎵晶體生長裝置”的專利，授權(quán)公告號CN222043410U，申請日期為2023年12月。專利摘要顯示，本實用新型公開一種氧化鎵晶體生長裝置，包括生長爐和冷卻機構(gòu)，生長爐包括底座、側(cè)保溫筒和加熱線圈，底座、側(cè)保溫筒與蓋板圍成生長腔體，并內(nèi)置坩堝組件，蓋板包括外側(cè)蓋板和中心蓋板，加熱線圈、底座以及坩堝組件保持固定，側(cè)保溫筒以及外側(cè)蓋板相對于底座往復(fù)滑動能夠改變生長腔體的容積，中心蓋板活動設(shè)置于散熱孔處，也可以受控升降；在氧化鎵晶體生長過程中，生長腔體內(nèi)的熱量也可以沿籽晶桿導(dǎo)出生長爐外部，確保引晶穩(wěn)定性；側(cè)保溫筒相對于底座向上滑動，壓縮熱腔體積，使晶體和散熱孔的間距縮短，能夠增強熱量導(dǎo)出效果。還可使中心蓋板向上滑動使其逐漸與外側(cè)蓋板分離，能夠使生長腔體內(nèi)的熱量經(jīng)由散熱孔散發(fā)出來，由冷卻機構(gòu)吸收。