2024年11月27日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司取得一項名為“一種發(fā)光二極管”的專利，授權(quán)公告號CN222051802U，申請日期為2023年12月。專利摘要顯示，本申請公開了一種發(fā)光二極管，包括：外延層，外延層包括依次層疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；第一通孔，第一通孔貫穿第二半導(dǎo)體層和發(fā)光層，露出第一半導(dǎo)體層；至少一層介質(zhì)層，至少一層介質(zhì)層位于第二半導(dǎo)體層背離發(fā)光層的一側(cè)，覆蓋第一通孔的側(cè)壁，露出第一通孔的底部；第一金屬反射層，第一金屬反射層位于至少一層介質(zhì)層背離第二半導(dǎo)體層的一側(cè)，且露出第一通孔；第二通孔，第二通孔貫穿至少一層介質(zhì)層以及第一金屬反射層；第二金屬反射層，至少覆蓋第二通孔的側(cè)壁以及底部。本申請技術(shù)方案在第一通孔外的第二半導(dǎo)體層表面上設(shè)置有不同的第一金屬反射層和第二金屬反射層，提高了發(fā)光二極管的可靠性。