2024年11月27日,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,安徽光智科技有限公司申請一項(xiàng)名為“一種新型鎵源除氣的方法”的專利,公開號CN119020857A,申請日期為2024年8月。專利摘要顯示,本發(fā)明涉及Ⅲ族化合物材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種新型鎵源除氣的方法,包括鎵源除氣和GaAs外延層的生長,并提供了具體的鎵源除氣步驟。本發(fā)明在真空條件下,在生長室內(nèi)對Ga源進(jìn)行多步升溫除氣,去除Ga源中的雜質(zhì)以及氧化物,并通過外延設(shè)備生長了GaAs外延層材料,利用缺陷分析儀和電子顯微鏡表征手段驗(yàn)證了本發(fā)明中的除氣方法,可以有效地降低GaAs外延層中的缺陷數(shù)量以及大尺寸缺陷的數(shù)量。
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