2024年8月29日（GLOBENEWSWIRE）--GaN（氮化鎵）技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新者FinwaveSemiconductor，Inc.今天宣布與GlobalFoundries（GF）達成戰(zhàn)略技術(shù)開發(fā)和許可協(xié)議。此次合作將Finwave的尖端硅基氮化鎵技術(shù)與GF在美國的大批量制造能力以及悠久的射頻創(chuàng)新傳統(tǒng)相結(jié)合，包括行業(yè)領(lǐng)先的射頻絕緣體上硅和硅鍺解決方案。此次合作將側(cè)重于優(yōu)化和擴展Finwave的創(chuàng)新增強模式（E-mode）MISHEMT技術(shù)，且在GF位于佛蒙特州伯靈頓的200毫米半導體制造工廠進行批量生產(chǎn)。

Finwave先進的200毫米硅基氮化鎵E模式MISHEMT平臺提供卓越的射頻性能，在低于5V的電壓下提供出色的增益和效率，同時確保200毫米晶圓的高均勻性，利用Finwave的技術(shù)，格芯的綜合90RFGaN平臺將提供高功率密度和高效率，實現(xiàn)高性能、優(yōu)化的設(shè)備，從而節(jié)省占地面積和成本。此項合作為傳統(tǒng)GaAs和Si技術(shù)不足的應(yīng)用中的高效功率放大器提供了引人注目的解決方案，包括新的高頻5GFR2/FR3頻段、6G和毫米波放大器以及高功率Wi-Fi7系統(tǒng)，在這些應(yīng)用中，卓越的范圍和效率至關(guān)重要。

Finwave先進的200毫米硅基氮化鎵E模式MISHEMT平臺提供卓越的射頻性能，在低于5V的電壓下提供出色的增益和效率，同時確保200毫米晶圓的高均勻性，利用Finwave的技術(shù)，格芯的綜合90RFGaN平臺將提供高功率密度和高效率，實現(xiàn)高性能、優(yōu)化的設(shè)備，從而節(jié)省占地面積和成本。這種合作伙伴關(guān)系為傳統(tǒng)GaAs和Si技術(shù)不足的應(yīng)用中的高效功率放大器提供了引人注目的解決方案，包括新的高頻5GFR2/FR3頻段、6G和毫米波放大器以及高功率Wi-Fi7系統(tǒng)，在這些應(yīng)用中，卓越的范圍和效率至關(guān)重要。

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