香港將成立本地首個(gè)第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延工藝研發(fā)中心
2024-08-05 10:07
來源：中國新聞網(wǎng)
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香港科技園公司與麻省光子技術(shù)(香港)有限公司7月30日簽署合作協(xié)議，將于香港科學(xué)園內(nèi)設(shè)立全香港首個(gè)第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延工藝全球研發(fā)中心，并于創(chuàng)新園開設(shè)首條超高真空量產(chǎn)型氮化鎵外延片中試線。
氮化鎵(GaN)是一種堅(jiān)硬且非常穩(wěn)定的第三代半導(dǎo)體材料，可在高溫和高電壓下進(jìn)行長時(shí)間運(yùn)作。此次在港設(shè)立的研發(fā)中心，將聚焦開發(fā)8寸氮化鎵外延片工藝及設(shè)備平臺，用于制作氮化鎵光電子和功率器件。相關(guān)中試線將耗資2億港元，設(shè)立投產(chǎn)后，會(huì)進(jìn)行氮化鎵外延片的小批量生產(chǎn)。
資訊編輯：馮詩奇 021-26093556
資訊監(jiān)督：樂衛(wèi)揚(yáng) 021-26093827
資訊投訴：陳杰 021-26093100
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